岸 達也 | (株)東芝研究開発センター
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概要
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝・研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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高橋 茂樹
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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(株)東芝 研究開発センター
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岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝研究開発センター
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日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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(株)東芝半導体研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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高橋 茂樹
(株)東芝 研究開発センター
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喜々津 哲
(株)東芝 研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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梶山 健
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
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與田 博明
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 智樹
(株)東芝 研究開発センター
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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喜々津 哲
(株)東芝
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日本電気株式会社
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北川 英二
(株)東芝研究開発センター
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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吉川 将寿
(株)東芝研究開発センター
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北川 英二
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
著作論文
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- スピン走査トンネル顕微鏡によるナノメートルスケール磁化状態評価
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- MRAM : 開発の最前線
- ナノスケールの磁化分析を可能にするスピン走査トンネル顕微鏡 (特集1 ナノテクノロジー--幅広い分野をけん引する次世代材料デバイス技術)
- 27pYB-4 Co薄膜のスピン偏極電子状態
- Co(0001)表面-強磁性探針間の真空スピントンネル
- Co表面に対するスピンSTMの理論的解析
- ダブルバイアス法によるスピン偏極STM
- 25aYQ-8 Co表面の探針近傍におけるスピン偏極電子状態
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導とTMR
- 28p-J-13 二重強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 二重強磁性トンネル接合における電気伝導
- GaAs探針からのスピン偏極トンネルの観察と円偏光応答像
- 1p-W-4 強磁性トンネル接合における磁気抵抗比の特性
- 強磁性トンネル接合における磁気抵抗
- 7a-YG-3 強磁性トンネル接合の理論 : 磁気抵抗のバイアス特性
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率 (多層膜・人工格子・グラニューラー)
- 29a-WB-1 強磁性トンネル接合における伝導特性
- Transfer matrix法による強磁性トンネル接合の解析
- 強磁性トンネル接合・二重強磁性トンネル接合における透過率
- [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般)
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))