土田 賢三 | (株)東芝半導体研究開発センター
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概要
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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(株)東芝 SoC 研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝 基礎研究所
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板垣 清太郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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清水 有威
(株)東芝半導体研究開発センター
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須之内 一正
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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岩田 佳久
東芝 研開セ
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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舛岡 富士雄
東北大学電気通信研究所
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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(株)東芝研究開発センター
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日本電気(株)基礎研究所
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株式会社東芝セミコンダクター社
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中野 浩明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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高島 大三郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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土田 賢二
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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白武 慎一郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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仁田山 晃寛
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稗田 克彦
株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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土田 賢二
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 新規メモリ設計技術開発部
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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池川 純夫
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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與田 博明
東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター 不揮発性メモリデバイス技術開発部
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岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
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株式会社 東芝 研究開発センター
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(株)東芝 SoC 研究開発センター
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(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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上田 智樹
(株)東芝 研究開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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池川 純夫
東芝研究開発セ
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大脇 幸人
株式会社東芝
著作論文
- クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 大容量MRAMの展望
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- MRAM : 開発の最前線
- STT-MRAMに向けた低読出し電圧・高速センスアンプの検討(新メモリ技術とシステムLSI)
- 64MビットDRAM基礎技術 (集積回路)