渡辺 重佳 | 株式会社東芝研究開発センターulsi研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 株式会社東芝研究開発センターulsi研究所の論文著者

関連著者

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝研究開発センターulsi研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝研究開発センター

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝研究開発センター

• 舛岡 富士雄

  東北大学電気通信研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝技術企画室

• 大内 和則

  株式会社東芝研究開発センター

• 大内 和則

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 村岡 裕明

  東北大学電気通信研究所

• 高島 大三郎

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 岡本 好弘

  愛媛大学工学部

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大脇 幸人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 土田 賢二

  株式会社東芝研究開発センター

• 仁田山 晃寛

  株式会社東芝東芝アメリカ電子部品

• 稗田 克彦

  株式会社東芝東芝アメリカ電子部品

• 高東 宏

  株式会社東芝東芝アメリカ電子部品

• 須之内 一正

  株式会社東芝研究開発センター

• 堀口 文男

  株式会社東芝半導体事業本部

• 原 央

  株式会社東芝研究開発センター

• 三浦 義正

  富士通(株) ストレージプロダクト事業本部

• 仲谷 文雄

  富士ゼロックス株式会社開発生産統括本部

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 中村 寛

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター

• 守山 義明

  パイオニア株式会社総合研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学 電気通信研究所

• 稗田 克彦

  東芝アメリカ電子部品

• 渡辺 重佳

  株式会社 東芝 研究開発センター

• 原 央

  株式会社 東芝 研究開発センター

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 寺内 衛

  株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 西山 彰

  株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 水野 智久

  株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 白田 理一郎

  東芝・セミコンダクター社メモリ事業部

• 中村 寛

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 白田 理一郎

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 作井 康司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 田中 智晴

  株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所

• 百冨 正樹

  株式会社東芝半導体デバイス技術研究所

• 百冨 正樹

  東芝メモリ事業部メモリ技術第一部

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 大島 英男

  Nhk技術局

• 大脇 幸人

  (株)東芝soc研究開発センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 堀口 文男

  東芝

• 三浦 義正

  富士通株式会社

• 土田 賢三

  (株)東芝半導体研究開発センター

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 沼澤 潤二

  NHK技術局

• 土田 賢二

  (株)東芝半導体研究開発センター

• 花谷 慎二

  ソニー株式会社 厚木テクノロジーセンター

• 北浦 担

  松下電器産業株式会社 光ディスク開発センター

• 山澤 亮

  富士ゼロックス株式会社 PDS事業本部

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 南 尚亮

  株式会社 東芝 半導体事業本部

• 田中 智晴

  (株)東芝 メモリ事業部

• 仲谷 文雄

  富士ゼロックス(株)dpsc研究開発センター

• 仲谷 文雄

  富士ゼロックス株式会社研究技術開発本部

• 仲谷 文雄

  富士ゼロックス(株)

• 守山 義明

  パイオニア(株)総合研究所

• 守山 義明

  パイオニア株式会社 総合研究所

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 吉見 信

  株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部

• 須之内 一正

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 南 尚亮

  東芝

• 仲谷 文雄

  富士ゼロックス 研究技術開発本部

• 大脇 幸人

  株式会社東芝

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著作論文

• SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
• SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
• C-11-2 TIS を用いたバッファ回路の設計法とその DRAM への適用検討
• 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの最適冗長回路設計法
• 高密度・低電圧NAND EEPROM設計のためのビット線シールド技術
• 1-3画像情報記録(映像情報メディア年報)
• 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの設計法
• 5.半導体メモリー(映像情報メディア記録システム)
• TISを用いたギガビットDRAMの設計法
• 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法
• 2. 各分野における技術の変遷 : 2-1 半導体メモリ技術の変遷と将来の展望(あの技術は今… : 技術の変遷と21世紀への展望)
• 不純物濃度の統計的ゆらぎを考慮したギガビットDRAMの設計法
• TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたバッファ回路の新設計法とその大容量DRAMへの適用検討

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