渡辺 重佳 | (株)東芝 Ulsi研究所

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概要

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関連著者

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 渡辺 重佳

  (株)東芝技術企画室

• 大脇 幸人

  (株)東芝 ULSI研究所

• 大脇 幸人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大脇 幸人

  (株)東芝soc研究開発センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 布施 常明

  (株)東芝 ULSI研究所

• 大内 和則

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 布施 常明

  東芝セミコンダクター社

• 大内 和則

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 寺内 衛

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 川中 繁

  東芝 システムLSI開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 鴨志田 昌弘

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 鴨志田 昌弘

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 太田 雅子

  東芝セミコンダクター社

• 太田 雅子

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 鴨志田 昌弘

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 松永 準一

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 野口 充宏

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 真鍋 宗平

  (株)東芝 ULSI研究所

• 吉田 尊

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 渡辺 重佳

  株式会社東芝研究開発センターulsi研究所

• 吉田 晋一

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 渡辺 重佳

  (株)東芝研究開発センター

• 松原 玄宗

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 真鍋 宗平

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 松原 玄宗

  (株)東芝システムlsi技術研究所

• 松永 準一

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 野口 充宏

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 首藤 晋

  (株)東芝セミコンダクター社

• 國島 巌

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 国島 巌

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹中 博幸

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス

• 田中 真一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹中 博幸

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 須之内 一正

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 川口谷 ひとみ

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 国島 巌

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 須之内 一正

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 須之内 一正

  (株)東芝セミコンダクター社

• 国島 巌

  (株)東芝セミコンダクター社

• 田中 真一

  (株)東芝

• 吉田 晋一

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 渡辺 重佳

  湘南工科大学工学部情報工学科

• 尾崎 徹

  (株)東芝セミコンダクター社

• 浜本 毅司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 渡辺 重佳

  湘南工科大学情報工学科

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 渡辺 重佳

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 渡辺 重佳

  (株)東芝セミコンダクター社

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 加藤 善光

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 初田 幸輔

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 土生 真理子

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 青木 正身

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 新山 広美

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 中杉 哲郎

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 柴田 透

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 稲場 恒夫

  (株)東芝ULSI研究所

• 高島 大三部

  (株)東芝ULSI研究所

• 斉藤 芳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 初田 幸輔

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 東 知輝

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 藤田 勝之

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 森門 六月生

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 滝上 裕二

  (株)東芝 ULSI研究所

• 都鹿野 健一

  (株)東芝 ULSI研究所

• 斉藤 芳彦

  (株)東芝 ULSI研究所

• 星 忠秀

  (株)東芝 ULSI研究所

• 加藤 善光

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 吉岡 晋一

  (株)東芝

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤田 勝之

  Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 土生 真理子

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 青木 正身

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 稲場 恒夫

  (株)東芝半導体研究開発センター

• 中杉 哲郎

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

• 野口 充宏

  (株)東芝セミコンダクター社

• 野口 充宏

  株式会社東芝セミコンダクター社

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著作論文

• 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
• 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
• 高速、高密度Chain FRAMの設計
• 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
• 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
• 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
• SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
• 高速、低消費電力、高信頼ULSIの設計手法
• セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
• ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
• 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
• 配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法
• 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
• C-11-2 TIS を用いたバッファ回路の設計法とその DRAM への適用検討
• 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの最適冗長回路設計法
• 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
• 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討
• 微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討
• SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
• SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
• 2. 各分野における技術の変遷 : 2-1 半導体メモリ技術の変遷と将来の展望(あの技術は今… : 技術の変遷と21世紀への展望)
• TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたバッファ回路の新設計法とその大容量DRAMへの適用検討
• 配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法
• 配線の信頼性、信頼性に関連した歩留りを考慮したギガビットDRAMの設計法
• 配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法
• 周辺回路の歩留りを考慮したギガビットDRAMの最適冗長回路設計法
• TIS(Trench-Isolated-transistor using Side wall gate)を用いたギガビットDRAMのゲート絶縁膜信頼性の解析

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