微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討
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概要
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動作時の微細MOSFETのゲートリーク電流が低消費電力用2電源(V_H,V_L)方式に及ぼす影響について解析した.ゲートリーク電流によるシステムLSIの動作時の消費電力は従来の充放電による消費電力同様にV_L/V_H=0.6〜0.7で最小になり,消費電力の削減効果は充放電のときよりも更に15%程度大きくなる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-01
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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