スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの設計法の検討(メモリ技術)
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概要
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ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つスピントランジスタを積層した積層型NAND MRAMを新たに提案した。メモリセルには3方向から書き込みビット線を取り囲む形のSGT型のスピントランジスタを導入し、9F^2の微細なセル面積での従来の磁界書き込み方式での書き込みを可能にする。読み出し方式として選択メモリセルと非選択メモリセルのゲート電圧を最適化する新方式を導入した。メモリセルを64層積層する事によりDRAMと同程度の高速性能と、積層型NANDフラッシュメモリと同程度の低コストが実現出来る可能性がある事を示した。
- 2009-04-06
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院 電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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