積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討(メモリ技術)
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概要
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強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを新たに提案した。読出し時に通過メモリセルのゲートにパルス入力を印加する方式が高速読出しに有効である事を示した。通過メキリのゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより、フラッシュメモリと同程度以上の積層数(16)と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる。新たに提案したパルス入力方式は、次世代のユニバーサルメモリを実現する技術として有望である。
- 2009-04-06
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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