MOSFETのゲート、サブスレッショルドリーク電流を考慮した2電源型システムLSIの低消費電力設計法(低消費電力/耐ノイズ・ばらつき設計(2),システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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微細MOSFETの充放電電流、ゲートリーク電流、サブスレッショルドリーク電流による消費電力を考慮した2電源型(V_H、V_L方式)システムLSIの消費電力の削減効果について解析した。消費電力の削減率は充放電電流のみを考慮した場合には電圧比V_L/V_Hによって決定されるのに対し、リーク電流のみを考慮した場合にはV_L/V_HとV_Hの絶対値によって決定される。詳細な解析の結果65nm、45nm、32nmいずれの世代でも従来どおり充放電電流による消費電力を最小にするV_L/V_Hで2電源方式を最適化すると、リーク電流による消費電力もほぼ最小に出来る。以上の解析より2電源型は微細MOSFETを用いて設計されたシステムLSIにとってリーク電流による消費電力が支配的になる世代でも、低消費電力化にとても有効な方式である事が分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-02
著者
-
小林 学
湘南工科大学工学部情報工学科
-
高畠 俊徳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
小林 学
湘南工科大学
-
花見 智
湘南工科大学情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
花見 智
湘南工科大学 情報工学科
-
花見 智
湘南工科大 大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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