積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Design technology of stacked NAND type 1-transistor FeRAM has been described. With 39nm design rule feasibility study of 1Tbit memory focused on cell array structure and core circuit has been investigated. 64 layer 8k×8k stacked SGT memory cell array structure and the double ended row and column decoder with SGT have been newly introduced.From the estimation of wordline and bitline delay time this structure enables to reduce the delay time of core circuit to 5ns. Stacked NAND type 1-transistor FeRAM is a promising candidate for realizing fast access time of 50ns.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2010-02-01
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
関連論文
- 一層型FinFET,積層型FinFETを用いたシステムLSIのパターン面積の比較
- 一層型SGT,積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討
- 3L-4 スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの検討(論理・物理設計技術,学生セッション,アーキテクチャ)
- 半導体メモリの過去40年の歴史と将来展望(シリコン材料・デバイス,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計法の検討(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの設計方法の検討(メモリ技術)
- 先端不揮発性メモリの将来展望とその積層化に関する基礎検討(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- 3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの設計法 : パターン面積の縮小効果の見積もり(新型不揮発性メモリ)
- 微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法(新型不揮発性メモリ)
- SGTによるシステムLSIのパターン面積縮小効果の検討