サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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本論文では、サブスレッショルド領域で動作する低電力LSIの高速化の基礎検討を行った。従来通常動作するLSIの高速化手法として使用されている3種の典型例で比較した所、DTMOS動作が最も効果的で遅延時間を通常動作時の1/15〜1/20に低減出来る事が分かった。
- 2008-07-10
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