酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMの設計法
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概要
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Design method for stacked FeRAM with oxide-channel transistor has been newly proposed. Using this architecture without sacrificing the reliability of the ferro-electric thin film, both high-speed competitive DRAM and low-cost more than 1 layered Flash memory can be successfully realized. For the case of µ=20cm2/vs stacked NAND structure is available. For the case of µ=0.2cm2/vs stacked NOR structure is effective.
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