微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法(新型不揮発性メモリ)
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概要
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MOSFETのリーク電流が流れる場合のシステムLSIの低消費電力化に対する並列処理の効果を組込み用プロセッサをモチーフにして見積もった。その結果リーク電流としてサブスレッショルドリーク、ゲートリークいずれが流れる場合も並列処理は充放電電流の場合同様有効であることが分かった(ゲート長50nmの微細MOSFETを用い、1〜3GHzで動作させることを想定した場合に2並列で約1/2、3並列で約1/5に削減可能)。ゲートリーク電流が多い場合には電源電圧の設定値を最適値に設定することが低消費電力のために重要となる。今後リーク電流による消費電力を削減する上で並列処理は従来以上に重要になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-07
著者
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