独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタを用いたシステムLSIの高密度設計法(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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独立したゲートを持っダブルゲートトランジスタと,スタック型3次元トランジスタの特徴を併せ持つ独立したゲートを持っスタック型3次元トランジスタを提案した.この提案を用いてパターン面積の縮小効果をインバータ,NAND,NOR等の基本ゲートでまず定量的に検証した.その後これらの基本回路の組み合わせで構成される実際の通信用システムLSIへの適用検討を行ったところ従来の平面型トランジスタを用いた場合の約24%にパターン面積が縮小できることが分かった.
- 2008-02-29
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
廣島 佑
湘南工科大学工学部情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学 情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
小泉 圭輔
湘南工科大学情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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