先端不揮発性メモリの将来展望とその積層化に関する基礎検討(不揮発メモリと関連技術及び一般)
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概要
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始めにFeRAM、MRAM,PRAM,ReRAM等のNAND型フラッシュメモリの次世代の先端不揮発性メモリの現実的な将来展望について述べた。次にBiCSを用いたNAND型フラッシュメモリ並みの超低コストと、NAND型フラッシュメモリよりも格段に優れた高速性能を併せ持つ超低コストユニバーサルメモリを実現する際に必要な条件に関して検討した。超低コストで高速アクセスが可能な不揮発性メモリを実現するためには、縦型の1トランジスタ型を縦に直列接続し、ゲート電圧によって基本的なランダムな読み出し、書き込み、消去が出来る必要性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-07
著者
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