独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたLSIの新設計法(不揮発メモリと関連技術及び一般)
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概要
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FinFET以上の高密度化が実現できる独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタの新しいレイアウト法を提案した.最初にパターン面積の縮小効果をインバータ,NAND,NOR等の基本ゲートで定量的に検証し,パターン面積が大幅に低減出来る事がわかった.次にこれらの基本回路の組み合わせで構成される実際の通信用システムLSIへの適用検討を行ったところ従来の平面型トランジスタを用いた場合の約48%にパターン面積が縮小できることが分かった.
- 2008-03-07
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
廣島 佑
湘南工科大学工学部情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学 情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
小泉 圭輔
湘南工科大学情報工学科
-
Koizumi Keisuke
Department of Information Science, Shonan Institute of Technology
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
-
渡辺 重佳
Department of Information Science, Shonan Institute of Technology
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