サブスレッショルド領域で動作するDTMOS動作方式を用いた低電力システムLSIの検討(低消費電力回路,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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本論文では、サブスレッショルド領域で動作するDTMOS型のインバータの動作速度と消費電力をしきい値電圧が一定の通常動作と比較した。その結果、通常動作時のしきい値電圧が高いほど高速化、低消費電力化される結果が得られた。
- 2009-03-04
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