先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 : BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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はじめにFeRAM、MRAM,PRAM,ReRAM等のNAND型フラッシュメモリの次世代の先端不揮発性メモリの現実的な将来展望について述べた。次にBiCSを用いたNAND型フラッシュメモリ並みの超低コストと、NAND型フラッシュメモリよりも格段に優れた高速性能を併せ持つ超低コストユニバーサルメモリを実現する際に必要な条件に関して検討した。超低コストで高速アクセスが可能な不揮発性メモリを実現するためには、縦型の1トランジスタ型を縦に直列接続し、ゲート電圧によって基本的なランダムな読み出し、書き込み、消去が出来る必要性がある。最後にその具体的な事例として1トランジスタ型FeRAM、Chain型FeRAM、1トランジスタ型MRAMの積層化に関する基礎検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-10
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学工学部情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院 電気情報工学専攻
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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