3次元型トランジスタFinFETによるLSIの高密度設計法 : CMOSセルライブラリを用いたパターン面積の縮小効果の検討(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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3次元型トランジスタを用いたシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した(検討したモチーフはNAND,NOR等の基本回路とテーパ型バッファ回路)。この検討により、FinFETを用いることでパターン面積が大幅に削減できる可能性が有ることがわかった。そこで、CMOSセルライブラリへ"平面型+FinFET型"方式を適用し、側壁チャネル幅を最適化することにより、動作速度、消費電力等の性能を犠牲にする事無くシステムLSIの素子領域のパターン面積を従来の平面型の場合の約40%に縮小できることを示した。今後設計上の幾つかの検討項目を解決することにより、"平面型+FinFET型"方式は将来のシステムLSI実現の有力な候補になる。
- 2008-02-29
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
廣島 佑
湘南工科大学工学部情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学 情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
小泉 圭輔
湘南工科大学情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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