酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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従来のシリコン基板上に2層膜を形成した方式より信頼性が優れている酸化物導電膜チャネルを用いた積層型FeRAMを新たに提案し、その動作速度とビットコストの最適化方法について検討した。酸化物導電膜の移動度に応じて1本のワード線に接続するメモリセルの個数mと積層数n、ε_r/tの値、NAND/NOR構成のどちらを用いるか最適化する事でDRAMと同程度の高速性能が実現出来る。μ=20cm^2/vsと比較的移動度が大きい時はNAND構成を用いm=1k、 n=64(ε_r/t=27(/nm))に、μ=0.2cm^2/vsと移動度が小さい時はNOR構成を用いm=512に最適化する事により高速性能と低コスト化が両立する事を示した。
- 2010-08-19
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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