微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法の検討
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概要
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微細MOSFETのリーク電流に注目した場合,同一動作速度のシステムLSIの動作時の消費電力は,電源電圧・しきい値電圧最適設定方式と比較して並列処理方式の方が大幅に削減できることを組込み型プロセッサをモチーフにして示した(ゲート長50nmの微細MOSFETを用い,1〜3GHzで動作させることを想定した場合に,2並列で約1/2,3並列で約1/5に削減可能).高速低消費電力特性を得るためにはチップ面積等の制約がない限りは並列処理方式の導入が有効.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-01
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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