積層型NOR MRAMの検討(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、高速性能、不揮発性を併せ持つドレイン部分に情報を記憶するスピントランジスタを用いた積層型NOR MRAMを提案し、読み出し速度を見積もった。3側面をチャネルとして用いメモリセルの内側にゲート電極を取り囲む形の縦型トランジスタを用いる事で9F2の微小なセルサイズでNOR型の積層構造を実現し高速な動作を可能とした。
- 2010-04-15
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院 電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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