ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討
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概要
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In this paper stacked NOR type MRAM with vertical spin transistor has been newly proposed. Word line scheme surrounded by vertical spin transistor enable to realize small cell size of 9F2 and fast random access time competitive to DRAM.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2009-11-01
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院 電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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