3次元型トランジスタFinFETを用いたDTMOS(FinFET型DTMOS)によるシステムLSIの高密度設計法 : パターン面積の縮小効果の見積もり(ナノエレクトロニクス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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しきい値電圧を動的に変化させるDTMOSを、3次元型トランジスタFinFETを用いて実現した場合のシステムLSI設計法、特に素子領域のパターン面積の縮小効果について検討した。DTMOSは高速、低消費電力には有効だがパターン面積が従来の平面型の場合大きくなってしまう問題があった。"FinFET型DTMOS"を用いるとゲートと基板を接続するための余分な面積増加をなくすことが出来るため、側壁チャネル幅を最適化することにより従来の平面型の場合と比較し通信用LSIで約31%にパターン面積を縮小できることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
廣島 佑
湘南工科大学工学部情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学情報工学科
-
岡本 恵介
湘南工科大学 情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
小泉 圭輔
湘南工科大学情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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