積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMの読出し方式の検討
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概要
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本論文では強誘電体を用いた積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを提案し,読出し時に通過メモリセルのゲートにパルス入力を印加する方式が高速読出しに有効であることを示した.通過メモリのゲートに分極反転が起きない短時間の高電圧パルスを印加することにより,フラッシュメモリと同程度以上の積層数(16)と数十ns以下の高速読出し時間を実現できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-01
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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