スピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMの読出し法の検討
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概要
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本論文ではスピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMを提案し,その読出し法を検討した.読出しセルと通過セルに印加するゲート電圧を最適化することにより,フラッシュメモリと同程度以上の積層数(32〜64)と60ns以下の高速読出し時間を実現できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-01
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学情報工学科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
玉井 翔人
湘南工科大学大学院 電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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