積層型NAND FeRAMの設計法(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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ユニバーサルメモリの特徴である低コスト、SRAMに次ぐ、DRAMと同程度の高速性能、不揮発性を合わせ持つ1トランジスタ型FeRAMを積層した積層方式NAND構造1トランジスタ型FeRAMを新たに提案した。また39nmデザインルールを用いた、1Tビットメモリを想定したセルアレイ及びデコーダ等のコア回路部分の仮想的な設計を行った。その結果メモリセルを64層積層し、1本のワード線に8k個、1本のビット線に8k個のメモリセルを接続する方式を用いる事により、DRAMと同程度の高速性能と、積層型のNANDフラッシュメモリと同程度の低コストが実現できる可能性があることを示した。基板の電圧をシリコン柱単位で分離することにより、NAND構成にもかかわらずランダムな読出し/書込みが可能になる。
- 2010-04-15
著者
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学工学部情報工学科
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院工学研究科電気情報工学専攻
-
菅野 孝一
湘南工科大学大学院電気情報工学専攻
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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