藤田 勝之 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

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概要

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• 中島 博臣

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• 初田 幸輔

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著作論文

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• SOI上に形成された1Tゲインセル(FBC)を使ったメモリ設計 : 4F^2サイズの新原理メモリセルの提案
• FBCを用いた333MHzランダムサイクルDRAM(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
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• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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