池橋 民雄 | (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
池橋 民雄
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
池橋 民雄
(株)東芝セミコンダクター社
-
山田 浩玲
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
柴田 英毅
(株)東芝 プロセス技術研究所
-
下岡 義明
(株)東芝
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
福住 嘉晃
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
-
梶山 健
(株)東芝研究開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
杉崎 吉昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
小川 悦治
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
齋藤 友博
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
山崎 宏明
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
杉崎 吉昭
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
山崎 宏明
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
下岡 義明
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝
-
齋藤 友博
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
池橋 民雄
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
柴田 英毅
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
下岡 義明
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
著作論文
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 7.次世代携帯端末向けRF MEMS可変容量(ブロードバンド無線通信を支えるマイクロ波ミリ波技術)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- CMOS混載RF-MEMS可変容量
- CMOS混載RF-MEMS可変容量