山田 敬 | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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概要
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著作論文
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- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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