新居 英明 | (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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概要
関連著者
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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井納 和美
株式会社東芝
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林 久貴
(株)東芝セミコンダクター社
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山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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平野 智之
株式会社 東芝セミコンダクター社
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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幡野 正之
株式会社 東芝セミコンダクター社
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竹中 圭一
株式会社 東芝セミコンダクター社
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石行 一貴
株式会社 東芝セミコンダクター社
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井田 和彦
株式会社 東芝セミコンダクター社
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
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松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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藤田 繁
ソニー株式会社
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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中島 博臣
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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篠 智彰
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山崎 崇
ソニー株式会社
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩本 俊幸
NECエレクトロニクス株式会社
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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木村 泰巳
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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渡辺 竜二
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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相川 恒
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山口 理恵
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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大島 亮介
ソニー株式会社
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横山 孝司
ソニー株式会社
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鉢峰 清太
ソニー株式会社
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十河 康則
ソニー株式会社
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志野 誠也
ソニー株式会社
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金井 貞夫
ソニー株式会社
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高橋 誠司
ソニー株式会社
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前田 英訓
ソニー株式会社
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岩田 敏彦
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 要
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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深作 克彦
ソニー株式会社
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松尾 浩二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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中澤 正志
ソニー株式会社
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片桐 孝浩
ソニー株式会社
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中澤 圭一
ソニー株式会社
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新山 卓
ソニー株式会社
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手塚 友樹
ソニー株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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長岡 弘二郎
ソニー株式会社
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村松 諭
NECエレクトロニクス株式会社
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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三本木 省二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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吉田 健司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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斉藤 正樹
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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成瀬 宏
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
長島 直樹
ソニー株式会社
-
桑田 孝明
NECエレクトロニクス株式会社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクター社
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐藤 力
株式会社東芝セミコンダクター社
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幡野 正之
株式会社東芝セミコンダクター社
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竹中 圭一
株式会社東芝セミコンダクター社
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林 久貴
株式会社東芝セミコンダクター社
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石行 一貴
株式会社東芝セミコンダクター社
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平野 智之
株式会社東芝セミコンダクター社
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井田 和彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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大黒 達也
株式会社東芝セミコンダクター社
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大島 享介
ソニー株式会社
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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東 篤志
東芝
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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松岡 史倫
東芝
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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成瀬 宏
東芝
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相川 恒
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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布施 常明
東芝セミコンダクター社
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
-
木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
三本木 省二
東芝
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
-
松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
大黒 達也
株式会社東芝
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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吉野 千博
東芝セミコンダクター社
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
綱島 祥隆
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
新居 英明
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
林 久貴
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
青木 伸俊
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
大黒 達也
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
水島 一郎
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
-
宮川 裕之
東芝セミコンダクター社
-
中島 博臣
東芝セミコンダクター社
-
川井 博文
東芝セミコンダクター社
-
菅谷 弘幸
東芝セミコンダクター社
-
滝本 一浩
東芝セミコンダクター社
-
新居 英明
東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社 東芝
著作論文
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 低消費電力型BiCMOS用シャロウトレンチ最適化の検討