川中 繁 | 株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

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関連著者

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 辻井 秀二

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 東 篤志

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 東 篤志

  東芝

• 川中 繁

  東芝 システムLSI開発センター

• 安達 甘奈

  株式会社東芝研究開発センター

• 辻井 秀二

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 安達 甘奈

  株式会社東芝デバイスプロセス開発センター

• 辻井 秀二

  株式会社東芝

• 宮田 俊敬

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 宮田 俊敬

  株式会社東芝研究開発センター

• 安達 甘奈

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 井谷 孝治

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 中島 博臣

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 篠 智彰

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 井納 和美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 勝又 康弘

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 飯沼 俊彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 杉崎 絵美子

  株式会社東芝研究開発センター

• 大島 康礼

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 宮野 清孝

  株式会社東芝研究開発センター

• 稲葉 聡

  株式会社東芝研究開発センター

• 井谷 孝治

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 大島 康礼

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 井谷 孝治

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

• 近藤 佳之

  株式会社東芝デバイスプロセス開発センター

• 川中 繁

  株式会社東芝デバイスプロセス開発センター

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• 大黒 達也

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著作論文

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• 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
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• Datta-Das型スピントランジスタにおける性能と消費電力見積もり(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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• ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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• マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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