シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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概要

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高性能ロジックLSIに適用されるMOSFETでは、その微細化が進むにつれ素子性能に対する寄生抵抗の影響が大きくなる。このため、寄生抵抗の低減が必須の技術開発項目となる。一方、微細MOSFETでは高濃度haloによる不均一なチャネル不純物分布のため寄生抵抗の評価が非常に困難な状況となっている。TCADを用いた物理的解析の結果、チャネル不純物濃度を用いてチャネル抵抗を変化させることにより正確な寄生抵抗を求めることができることがわかった。また、高濃度haloが存在する場合、寄生抵抗を評価するゲート長を十分に短く取ることによりhaloの影響を除くことができることがわかった。実デバイスに対してこれら解析結果を適用し、正確な寄生抵抗を抽出することが可能であることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-10-23

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