極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaC_x/HfSiONデバイスにおいて、TaC_x組成がもたらすデバイス特性への影響を詳細に調査した。その結果、TaC_x中のTa組成プロファイル最適化により実現される適度なメタルゲート(Metal Gate)/高誘電率ゲート絶縁膜(High-k)界面反応が、High-k中の固定電荷抑制に効果的であり、デバイス特性の向上をもたらすことを明らかとした。さらに、High-k中の固定電荷抑制が、歪み印加効果の促進をもたらすことも明らかとした。絶縁膜中の固定電荷を排除したTaC_x/HfSiONデバイスと、従来の歪み印加技術のStress Memorization Technique (SMT)、Stress Liner (SL)とを組み合わせることで、高性能な極微細Metal Gate/High-kデバイスの作製に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-07-10
著者
-
後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
-
佐々木 俊行
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
後藤 正和
徳島大学外科
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
中嶋 一明
(株)東芝
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
中嶋 一明
東芝
-
中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
-
長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
福島 崇
東芝
-
長友 浩二
東芝
-
野町 映子
東芝
-
小野田 裕之
東芝
-
吉水 康人
東芝
-
吉水 康人
(株)東芝セミコンダクター社
-
後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
-
辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
-
市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
-
福島 崇
(株)東芝セミコンダクター社
-
野町 映子
(株)東芝セミコンダクター社
-
犬宮 誠治
東芝
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
-
後藤 正和
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
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