LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
high-k/SiO_2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV_t)との相関関係を、3通りのダイポール変調法、即ちAl添加、La添加、界面SiO_2層の質の変化、を適応した系について調べた。ダイポール変調とは必ずしも関係しない界面準位増加やラフネス散乱増加に由来する散乱成分は実験的に抽出・分離した。Al添加によるダイポール変調に起因するRCSはΔV_t増加に比例して増加する。一方、La添加に起因するRCSは一定値となり、ΔV_tには依存しない。ΔV_tに対する付加的散乱の不可避性をダイポール形成機構の2つのモデルに基づき議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-12
著者
-
後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
後藤 正和
徳島大学外科
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
中嶋 一明
東芝
-
中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
-
犬宮 誠治
東芝
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
石原 貴光
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
犬宮 誠治
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
-
中嶋 一明
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
-
金子 明生
セミコンダクター社プロセス技術推進センター株式会社東芝
-
木下 敦寛
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
石原 貴光
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
関連論文
- イネホールクロップサイレージ主体混合飼料中の粗飼料由来NDF含量の違いが泌乳牛の子実消化性および乳生産に及ぼす影響
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 混合飼料におけるイネホールクロップサイレージの未消化子実排泄に及ぼす併給粗飼料の影響
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- SF-032-5 進行胃癌に対するTS-1併用paclitaxel腹腔内投与における薬物動態及び予後予測因子に関する検討(胃癌(化学療法1),サージカルフォーラム,第109回日本外科学会定期学術集会)
- DP-121-7 UDCAを基本骨格とする大腸発癌抑制物質の開発(第107回日本外科学会定期学術集会)
- SF-058-4 CD-DST法による胃癌に対する5-FU感受性と臨床病理学的因子との相関に関する研究(薬剤耐性-1,サージカルフォーラム,第110回日本外科学会定期学術集会)
- 肉用鶏飼育中の陰圧横断換気方式無窓平床鶏舎での塩化ジデシルジメチルアンモニウム製剤噴霧による空中浮遊細菌の低減効果
- 泌乳牛に給与したイネ(Oryza sativa L.)ホールクロップサイレージの籾消化性に及ぼすグルタミン酸発酵副産液の添加効果
- サイレージ抽出培養液および原材料由来乳酸菌培養液を添加したイネ「チネリア・ママ」サイレージの発酵品質
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- リジンとスレオニン発酵副産液添加がトウモロコシ(Zea mays L.)サイレージの発酵品質および好気的安定性に及ぼす影響
- ポリメタルゲート電極技術
- W/poly-Si 積層構造による低抵抗ゲート電極(poly-metal ゲート)
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- 最近の展望 メタルゲート技術の最近の展望
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- P-2-255 胃・十二指腸からの出血性ショックに対する動脈塞栓術 : 進行胃癌と十二指腸潰瘍の2例(胃 症例7,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- P-1-95 前立腺全摘術後鼠径ヘルニア症例の検討(ヘルニア1,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明 (シリコン材料・デバイス)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 中性次亜塩素酸水の浸漬および噴霧による消毒効果の検討
- 肉用鶏への微生物資材の飼料添加がサルモネラ排菌抑制および生産性に及ぼす影響
- TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
- 不純物偏析ショットキー接合を用いた高駆動電流トランジスタの開発
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 不純物偏析ショットキー接合トランジスタ
- 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 不純物揺らぎが金属半導体接合の輸送に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 症例報告 十二指腸下行脚に発生した多発性出血性十二指腸潰瘍の1例
- Flashのデバイス・シミュレーション技術
- Flashのデバイス・シミュレーション技術
- DP-011-5 末梢血調節性T細胞比率はIPMNの新たな悪性度指標となる(第107回日本外科学会定期学術集会)
- 22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術
- DP-074-6 Focused DNA microarrayを用いた進行胃癌に対するTaxane腹腔内投与の効果予測因子の検討(第108回日本外科学会定期学術集会)
- 飼料イネの茎葉付着水の除去に関する研究
- MOSFETにおける高精度移動度モデルの構築
- フラッシュメモリのプログラミング特性予測技術
- サトウキビ抽出物の飼料添加ならびに競合排除製品の併用が肉用鶏の免疫機能, 生産性, 腸管内 Salmonella Enteritidis 増殖抑制効果に及ぼす影響
- 新会長就任挨拶
- 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたSRAM不良ビットの直接観察及びメカニズム解明(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 中性次亜塩素酸水の噴霧と床面形状の相違が鶏舎内落下細菌数と生産性に及ぼす影響
- ロールベールサイレージ発酵品質簡易推定のためのサンプリング部位の検討
- ウインドウレス肉用鶏舎でのスラット床飼育ならびに中性次亜塩素酸水噴霧が鶏舎内落下細菌数の低減効果と生産性に及ぼす影響
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- PET-CT, Diffusion MRI を用いたGISTの悪性度診断
- 香酸カンキツ'新姫'の全果実および部位別フラボノイド成分量
- 超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新型V_自己調整MISFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SF-063-4 ヒストンアセチル化により制御されるCD133とTHBS1発現に基づく胃癌の悪性度評価(SF-063 サージカルフォーラム(63)胃 基礎-2,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SY-13-6 直腸癌に対するDPD阻害フッ化ピリミジンを用いた術前化学放射線療法のrandomized clinical trial : 個別化治療を目指して(SY-13 シンポジウム(13)癌の個別化治療への新しい試み,第112回日本外科学会定期学術集会)
- VD-006-4 術前化学放射線療法を併用した腹腔鏡下直腸切除術の肛門機能とQOL(VD-006 ビデオセッション(6)大腸 低侵襲・機能温存,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-118-7 CPT-11はTight Junction障害とTNFα・NF-κB経路を介しBacterial Translocationを発症させる(PS-118 基礎-2 (腫瘍免疫),ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-067-1 Short segment Barrett上皮のmalignant potentialの検討 : Activation-induced deaminase (AID)の発現とHDAC1-MTA1発現の相関について(PS-067 食道 基礎-3,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-069-5 術前MDCTによる右胃動脈,中結腸静脈把握により安全・確実な腹腔鏡下手術が可能になる(PS-069 胃 鏡視下-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-088-4 大腸癌におけるSirt1発現の低下は内臓肥満と癌進展に関係する(発癌)(SF-088 サージカルフォーラム(88)大腸 基礎-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-139-8 カロリー制限は大腸発がんを抑制する可能性がある(PS-139 大腸 発癌・悪性度-1,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-120-2 Metabolic surgeryとしてのDuodenal-Jejunal Bypassの有用性に関する研究(PS-120 周術期管理-1 (代謝栄養),ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PS-005-1 胃癌におけるAID発現は分化型癌の進展に関与する(PS-005 胃 基礎-1,ポスターセッション,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-095-3 microRNA223はCell cycleを活性化することで直腸癌化学放射線治療感受性を高める可能性がある(SF-095 サージカルフォーラム(95)直腸 化学放射線療法-2,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-089-2 KRAS遺伝子変異からみたTight Junctionを標的とした大腸癌の浸潤転移機構の解明(SF-089 サージカルフォーラム(89)大腸 基礎-2(浸潤・転移),第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-088-2 大腸癌におけるmicroRNA223発現の意義についての研究(第2報)(発癌)(SF-088 サージカルフォーラム(88)大腸 基礎-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-067-1 長寿遺伝子Sirtuin familyのSIRT3は胃癌の進展に関与する可能性がある(SF-067 サージカルフォーラム(67)食道 基礎-6,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-063-2 Protein Kinase C iota発現は胃癌の新たな予後予測因子となる(SF-063 サージカルフォーラム(63)胃 基礎-2,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-010-3 腹腔鏡補助下胃切除術の定型化と地方におけるTelesurgery mentoring system導入の意義 : 地方における効率的な普及を目指して(SF-010 サージカルフォーラム(10)胃 鏡視下-3,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-008-2 腹腔鏡下幽門側胃切除術Roux-en Y再建の胃閉鎖部に平行な胃空腸吻合は胃排出遅延を克服する(SF-008 サージカルフォーラム(8)胃 鏡視下-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
- PD-5-10 局所進行下部直腸癌に対する術前化学放射線療法併用腹腔鏡下手術の妥当性(PD-5 パネルディスカッション(5)局所進行直腸癌に対する集学的治療,第112回日本外科学会定期学術集会)
- SF-060-5 食道癌におけるGlasgow prognostic scoreの意義(SF-060 サージカルフォーラム(60)食道 予後因子,第112回日本外科学会定期学術集会)
- 中国内蒙古自治区シリンゴロ草原における土壌中総窒素および総リン濃度に及ぼす採草地化の影響(日本家畜管理学会・応用動物行動学会2013年度春季合同研究発表会)
- 内蒙古自治区ハルゴビ村とサイハンゴビ村における植生、植物栄養成分およびヒツジ放牧管理方法の比較(日本家畜管理学会・応用動物行動学会2013年度春季合同研究発表会)
- 香酸カンキツ'新姫'の全果実および部位別フラボノイド成分量
- ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)