Flashのデバイス・シミュレーション技術
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概要
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NAND-Flashメモリのプログラミング特性をデバイス・シミュレーションによって解析するために、2つの計算手法をデバイス・シミュレータに導入した。一つは、絶縁膜中におけるトンネル確率の空間分布を考慮してFNトンネル電流を計算したことである。これにより、任意の浮遊ゲート形状に対応できるようになった。もう一つは、浮遊ゲート界面で変位電流を含めた電流連続式をポアソン方程式に埋め込んだことである。これにより、通常の過渡解析と同様に自己無撞着なシミュレーションが可能となった。本報告では、これらの計算技術と解析事例を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-09-21
著者
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間 博顕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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間 博顕
(株)東芝 セミコンダクター社
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松沢 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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石原 貴光
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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