第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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界面準位起因の移動度劣化を抑制する新たな終端方法として酸素終端法を提案した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-22
著者
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センター
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
-
松下 大介
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
石原 貴光
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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