30p-S-1 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化構造(理論)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
橋詰 富博
東北大WPI-AIMR
-
加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
-
梶山 博司
日立 基礎研
-
梶山 博司
日立基礎研
-
内山 登志弘
JRCAT-ATP
-
宇田 毅
JRCAT-ATP
-
梶山 博司
(株)日立製作所基礎研究所
-
内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
-
加藤 弘一
東芝基礎研
-
橋詰 富博
東芝基礎研
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