24pW-17 水素終端シリコン表面のダングリングボンドでの酸化過程

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 加藤 弘一

  (株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー

• 梶山 博司

  日立 基礎研

• 内山 登志弘

  JRCAT-ATP

• 宇田 毅

  JRCAT-ATP

• 梶山 博司

  (株)日立製作所基礎研究所

• 内山 登志弘

  産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体

• 加藤 弘一

  東芝研開C

• 梶山 博司

  日立日立研

• 宇田 毅

  (株)ASMS

• 宇田 毅

  JRCAT

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