30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
宇田 毅
アドバンスソフト株式会社第2部
-
大野 隆央
物材機構(NIMS)計算材料セ
-
籾田 浩義
物質・材料研究機構
-
濱田 智之
東大生研
-
大野 隆央
物材機構
-
大野 隆央
物材機構:東大生研
-
籾田 浩義
物質・材料研究機構計算科学センター
-
籾田 浩義
東京大学生産技術研究所
-
高木 祥光
筑波大計科セ:crest
-
宇田 毅
アドバンスソフト
-
山本 武範
アドバンスソフト
-
籾田 浩義
東大生産研
-
濱田 智之
東大生産研
-
高木 祥光
東大生産研
-
山本 武範
東大生研:東邦大理
-
山本 武範
東邦大理:東大生研
-
宇田 毅
(株)ASMS
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