山本 武範 | 東邦大理:東大生研

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概要

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  物質・材料研究機構

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  東大生研:富士通研

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  物質材料研究機構:東大生産研

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  物質・材料研究機構計算科学センター

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  アドバンスソフト

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  東京大学生産技術研究所

• 大野 隆央

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• 斎藤 峯雄

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  (株)ASMS

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  アドバンスソフト株式会社第2部

• 居波 哲

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• 石井 史之

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• 籾田 浩義

  東大生研

• 山本 武範

  横浜国工

• 田中 正俊

  横浜国工

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 押山 淳

  東大院工

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 青木 圭子

  Jst液晶ナノシステム

• 青木 圭子

  Jst

• 亘 紀子

  NEC情報システムズ

• 大西 楢平

  日本電気基礎研究所

• 大西 楢平

  東邦大理

• 大西 楢平

  東邦大学理学部

• 内田 和之

  東大院工

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 石井 史之

  金沢大自然研

• 福谷 博仁

  筑波大物理

• 山崎 隆浩

  富士通研究所

• 宇田 毅

  日立基礎研

• 大野 隆央

  NIMS

• 高木 祥光

  筑波大計科セ:crest

• 大野 隆央

  独立行政法人 物質･材料研究機構計算材料科学研究センタｰ

• 大西 楢平

  NEC基礎研

• 籾田 浩義

  物材機構

• 籾田 浩義

  東大生産研

• 濱田 智之

  東大生産研

• 高木 祥光

  東大生産研

• 濱田 智之

  東京大学生産技術研究所

• 大西 楢平

  NECラボラトリーズ

• 大西 楢平

  Nec基礎・環境研

• 山崎 隆浩

  富士通研

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著作論文

• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
• 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
• 17aWD-2 W(001)表面上のWO_2表面化合物に関する計算
• 24pPSA-7 クラスターモデル計算によるW(001)表面の酸素吸着構造の研究
• 26aPS-18 W(001)-ρ(4x1)-O表面系の電子状態
• 23aWF-2 分子動力学法によるソフトコア系の相転移の解析(その他の系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aPS-82 金属系における相転移の分子動力学シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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