大西 楢平 | Nec基礎・環境研

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概要

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• 大西 楢平

  Nec基礎・環境研

• 大西 楢平

  NEC基礎研

• 亘 紀子

  NEC情報システムズ

• 大西 楢平

  日本電気基礎研究所

• 大西 楢平

  東邦大理

• 大西 楢平

  日電基研

• 松下 貢

  中大理工

• 菅野 暁

  東大物性研

• 石井 靖

  中大理工

• 柘植 久尚

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 仁科 雄一郎

  東北大金研

• 石井 靖

  姫路工大理

• 石井 靖

  姫工大理

• 松下 貢

  東北大 通研

• 塚田 捷

  東大理

• 柘植 久尚

  Nec機能材料研

• 杉野 修

  NEC基礎研

• 斎藤 峯雄

  株式会社nec情報システムズ

• 斎藤 峯雄

  Nec情報システムズ

• 島 信幸

  姫路工大理

• 里子 允敏

  分子研

• 島 信幸

  東大理

• 杉野 修

  東京大学 物性研究所

• 杉野 修

  日電マイクロ研

• 近藤 宏

  東北大通研

• 杉野 修

  日本電気(株)基礎研究所

• 山本 武範

  東大生研:東邦大理

• 山本 武範

  東邦大理:東大生研

• 山本 武範

  横浜国工

• 田中 正俊

  横浜国工

• 大西 楢平

  NEC基研

• 近藤 宏

  東北大 通研

• 亘 紀子

  日電技術情報シス開

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 島 信幸

  東大・理・物理

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著作論文

• 27p-N-4 STMにおける電子過程の諸問題
• 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
• 17aWD-2 W(001)表面上のWO_2表面化合物に関する計算
• 第1回NECシンポジウム : マイクロクラスター
• 25aYM-1 金属クラスター中の水素吸蔵(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 1a-D-10 方向性のあるDLAモデル
• 3p-E-3 Si表面上への遷移金属原子の吸着
• 超並列計算機と計算物理
• 25a-YR-8 第一原理計算による水銀55量体の金属化の研究
• 12a-DJ-12 水銀クラスターの構造と電子状態

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