杉野 修 | NEC基礎研
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概要
関連著者
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杉野 修
NEC基礎研
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宮本 良之
NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
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宮本 良之
Necナノエレ研
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古賀 義紀
産総研
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杉野 修
東京大学 物性研究所
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杉野 修
日電マイクロ研
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杉野 修
日本電気(株)基礎研究所
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河合 孝純
JFCC
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河合 孝純
NECナノエレ研
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押山 淳
東大院工
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古賀 義紀
産総研炭素センター
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古賀 義紀
物質研
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河合 孝純
Japan Fine Ceramics Center
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斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
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斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
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押山 淳
筑波大学物理学系
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押山 淳
日電マイクロエレクトロニクス研
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斎藤 峯雄
日電技術情報
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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亘 紀子
NEC情報システムズ
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大西 楢平
日本電気基礎研究所
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柘植 久尚
Nec機能材料研
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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望月 康則
NEC基礎研
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広瀬 賢二
NEC基礎環境研
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宇田 毅
アドバンスソフト
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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押山 淳
Nec基礎研
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大西 楢平
NEC基礎研
-
広瀬 賢二
Nec基礎環境研究所
-
望月 康則
Nec基礎研究所
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横澤 亜由美
NEC ULSIデバイス開発研究所
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宮本 良之
Nec基礎研
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JEONG S.
筑波大学物理学系
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飯島 智徳
Nec基礎研
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大西 楢平
Nec基礎・環境研
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YU Bung
NEC基礎研究所
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カー ロベルト
ジュネーブ大
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杉野 修
NEC基礎研究所
著作論文
- 27pWB-10 第一原理計算によるグラフェンリボンからのダイヤモンド合成
- 25aYF-13 水素終端のないグラフェンリボンの安定性と反応性
- 23pK-4 理論が予測する半導体中のダイナミカルな現象
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- 28a-PS-127 Lippmann-Schwinger方程式の効率的解法
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
- 30p-YF-9 鈴木Trotter公式を用いた電子・イオン系のダイナミックス
- 29p-F-4 Trotter formulaに基づくTDLDAの定式化と微細系の電気伝導度等への応用
- 3p-K-1 探針による表面吸着原子操作の理論
- 25aL-8 炭素クラスターに対する光電子分光振動微細構造の第一原理計算
- 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
- 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
- 表面拡散におけるexchange mechanismの重要性
- 24a-M-6 共役勾配法を用いたバンド計算法とそのSi Vacancy Migration Processへの応用
- 20aRH-7 Bernoulli展開法を用いた界面の密度汎関数計算
- 電極の界面構造・安定性の設計-電極の界面構造, 安定性, ショットキー障壁の原子レベルでの理解と実効的予測-
- TiSi_2の相図の第一原理計算
- 29a-X-13 第一原理分子動力学による鎖状炭素相の予言
- 第1原理からの自由エネルギ-計算に基づく物質の相図
- 9aSE-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関するTight-Binding計算(成長,構造,ガス吸着,領域7)
- 27aXN-13 細いナノチューブの融合反応(27aXN ナノチューブ(ピーポッド,二層ナノチューブ),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 8pSH-3 一次相転移の第一原理計算-Si結晶の融解(主題:結晶の相転移と計算物理(第一原理計算と分子動力学等の計算機シミュレーション),領域10,領域4合同シンポジウム,領域10)
- 25aXN-9 グラフェンリボン:反応前駆体としての可能性(25aXN 領域7シンポジウム主題:グラファイト関連物質における新しい展開,領域7(分子性固体・有機導体分野))