押山 淳 | Nec基礎研
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概要
関連著者
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押山 淳
Nec基礎研
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押山 淳
東大院工
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斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
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斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
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押山 淳
東大物工:crest-jst
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斎藤 晋
東工大理
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押山 淳
筑波大学物理学系
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斉藤 晋
Nec基礎研
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宮本 良之
NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
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大西 楢平
日本電気基礎研究所
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斉藤 晋
日電基礎研
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宮本 良之
Nec基礎研
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大西 楢平
日電基礎研
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杉野 修
NEC基礎研
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押山 淳
日電マイクロエレクトロニクス研
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栗本 武
日電技術情報
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岡本 穏治
NEC基礎研
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斎藤 峯雄
NEC技術情報
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押山 淳
日電基礎研
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栗本 武
NSIS
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押山 淳
日本電気基礎研究所
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劉 炳徳
Nec基礎研究所
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斎藤 晋
NEC基礎研
著作論文
- 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
- 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
- 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
- 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
- 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
- 4p-S-1 Norm-conserving Pseudo-potentialによるLCAO計算
- 1p-F-4 DXセンター:深い準位と浅い準位の交叉
- 29p-J-4 Si_20とC_20フラーレン化合物の電子構造
- 25p-PS-59 酸化に伴うSi2p準位の変化
- 25p-PS-58 極度にミスマッチなSi/SiO_2界面での結晶化SiO_2の存在
- 28p-YK-2 KドープC60-グラファイト層間化合物の電子状態
- 27p-J-2 Caドープ固体C_の電子状態
- 28a-WC-6 Si(100)面のステップ構造と{311}ファセット出現の機構
- 29p-WB-2 シリコンクラスレートの電子状態
- 2a-J-11 Si_の電子構造
- 13a-B-1 C60-グラファイト層間化合物の電子状態
- 24a-M-6 共役勾配法を用いたバンド計算法とそのSi Vacancy Migration Processへの応用