押山 淳 | 東大物工:crest-jst
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概要
関連著者
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押山 淳
東大物工:crest-jst
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斎藤 晋
東工大理
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藤本 義隆
東工大理
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岡田 晋
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
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押山 淳
筑波大学物理学系
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押山 淳
Nec基礎研
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斎藤 晋
日本電気(株)基礎研究所
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押山 淳
日本電気(株)基礎研究所
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藤本 義隆
東大物工
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押山 淳
東大物工
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斎藤 晋
東京工業大学理学部
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押山 淳
日電マイクロエレクトロニクス研
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斎藤 晋
日電基礎研
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斎藤 晋
東工大院理工
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斎藤 晋
東京工業大学物性物理学専攻
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岩田 潤一
筑波大計科セ
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是常 隆
東工大理
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三宅 隆
産総研:js-crest
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是常 隆
東工大工
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斎藤 晋
東工大工
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三宅 隆
産総研計科
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浜田 典昭
アトムテクノロジー研究体
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浜田 典昭
日電基礎研
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斎藤 晋
日本電気基礎研
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押山 淳
筑波大物理
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三宅 隆
東大物性研
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宮本 良之
Nec基礎研
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Saito S
National Institute Of Industrial Health
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宮本 良之
日電マイクロエレクトロニクス研
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藤本 義隆
筑波大計科セ
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押山 淳
CREST-JST
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斎藤 晋
NEC基礎研
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押山 淳
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
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岩田 潤一
東京大学大学院工学系研究科
著作論文
- 23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- カーボンナノチューブにおける自由電子的電子状態--固体ナノチューブとフラーレン内包チューブ
- 29p-J-4 Si_20とC_20フラーレン化合物の電子構造
- 29p-W-1 フラーレン及びフラーレン化合物固体の電子状態
- 22aXJ-6 第一原理計算によるGe/Si(001)の歪緩和と転位に関する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18aTJ-10 多層BNナノチューブの層間相互作用と電子構造
- 28aYX-3 C_内包ナノチューブのエネルギー論と電子状態
- 階層構造を持つ共有結合ネットワーク固体の物性予測と新物質設計
- 26aF-6 カーボンナノチューブ結晶の電子状態における配向の効果
- 28a-XA-12 新しい高圧誘起ポリマー相の合成可能性 : 3次元C_ポリマーの構造と電子状態
- 31a-C-8 Liドープ固体C_の電子構造
- 29p-WB-2 シリコンクラスレートの電子状態
- 2a-J-11 Si_の電子構造
- 13a-B-1 C60-グラファイト層間化合物の電子状態
- 29p-W-2 アルカリドープC_でのT_cと電子状態密度との異常な関係
- C_とK_xC_凝集機構と電子状態
- 29p-X-2 サッカーボール超伝導体K_xC_の凝集機構と電子構造
- 29p-BPS-22 イオン結晶金属K_xC_: 第一原理計算
- 29p-BPS-18 固体C_の凝集機構とバンド構造
- Ge/Siヘテロエピタキシャル成長の歪み緩和と刃状転位形成機構 (大規模計算機システム利用者研究報告)
- 28p-ZD-4 C_の物理と化学