階層構造を持つ共有結合ネットワーク固体の物性予測と新物質設計
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
カーボンナノチューブにおける自由電子的電子状態--固体ナノチューブとフラーレン内包チューブ
-
29p-J-4 Si_20とC_20フラーレン化合物の電子構造
-
29p-W-1 フラーレン及びフラーレン化合物固体の電子状態
-
22aXJ-6 第一原理計算によるGe/Si(001)の歪緩和と転位に関する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
18aTJ-10 多層BNナノチューブの層間相互作用と電子構造
-
28aYX-3 C_内包ナノチューブのエネルギー論と電子状態
-
階層構造を持つ共有結合ネットワーク固体の物性予測と新物質設計
-
26aF-6 カーボンナノチューブ結晶の電子状態における配向の効果
-
28a-XA-12 新しい高圧誘起ポリマー相の合成可能性 : 3次元C_ポリマーの構造と電子状態
-
31a-C-8 Liドープ固体C_の電子構造
-
29p-WB-2 シリコンクラスレートの電子状態
-
2a-J-11 Si_の電子構造
-
13a-B-1 C60-グラファイト層間化合物の電子状態
-
29p-W-2 アルカリドープC_でのT_cと電子状態密度との異常な関係
-
C_とK_xC_凝集機構と電子状態
-
29p-X-2 サッカーボール超伝導体K_xC_の凝集機構と電子構造
-
29p-BPS-22 イオン結晶金属K_xC_: 第一原理計算
-
29p-BPS-18 固体C_の凝集機構とバンド構造
-
Ge/Siヘテロエピタキシャル成長の歪み緩和と刃状転位形成機構 (大規模計算機システム利用者研究報告)
-
28p-ZD-4 C_の物理と化学
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク