宮本 良之 | Nec基礎研

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概要

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関連著者

• 宮本 良之

  Nec基礎研

• 押山 淳

  筑波大学物理学系

• 宮本 良之

  NEC基礎・環境研CNT応用研究センター

• 宮本 良之

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 押山 淳

  日本電気(株)基礎研究所

• 石谷 明彦

  日本電気(株)基礎研究所

• 押山 淳

  Nec基礎研

• 押山 淳

  東大院工

• 斎藤 晋

  東工大理

• 斎藤 晋

  東工大・理

• 浜田 典昭

  アトムテクノロジー研究体

• 浜田 典昭

  日電基礎研

• 杉野 修

  NEC基礎研

• 河合 孝純

  Japan Fine Ceramics Center

• 河合 孝純

  NECナノエレ研

• 斎藤 峯雄

  株式会社nec情報システムズ

• 斎藤 峯雄

  Nec情報システムズ

• 古賀 義紀

  産総研

• 押山 淳

  筑波大物理

• 押山 淳

  東大物工:crest-jst

• 押山 淳

  日電マイクロエレクトロニクス研

• 斎藤 晋

  日電基礎研

• 斎藤 晋

  東京工大

• 宮本 良之

  日電マイクロエレクトロニクス研

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著作論文

• 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
• 29p-W-1 フラーレン及びフラーレン化合物固体の電子状態
• 25aYF-6 カーボンナノチューブの直径に依存した電子親和力
• 25p-PS-59 酸化に伴うSi2p準位の変化
• 25p-PS-58 極度にミスマッチなSi/SiO_2界面での結晶化SiO_2の存在
• SiO2/Si界面におけるSi2p内殻準位の結晶場分裂--高分解XPS構造解析の可能性
• 1p-TA-5 Si(100)表面上のO_2分子の解離
• 4a-T-2 Si(100)表面上の酸素吸着II : 局所密度汎関数法による全エネルギーと力の計算
• 4a-B4-9 Si(100)表面への酸素吸着 : 局所密度汎関数法による全エネルギーの計算
• 9aSE-6 カイラルナノチューブの伸縮とねじれに関するTight-Binding計算(成長,構造,ガス吸着,領域7)

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