斎藤 峯雄 | 株式会社nec情報システムズ
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概要
関連著者
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斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
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斎藤 峯雄
Nec情報システムズ
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押山 淳
東大院工
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押山 淳
Nec基礎研
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宮本 良之
NEC基礎・環境研CNT応用研究センター
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宮本 良之
Necナノエレ研
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杉野 修
NEC基礎研
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杉野 修
東京大学 物性研究所
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杉野 修
日電マイクロ研
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杉野 修
日本電気(株)基礎研究所
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唐 政
東北大金研
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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亘 紀子
NEC情報システムズ
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大西 楢平
日本電気基礎研究所
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柘植 久尚
Nec機能材料研
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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押山 淳
筑波大物理
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渡辺 隼人
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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大西 楢平
NEC基礎研
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宮本 良之
NECシステムデバイス・基礎研究本部基礎研究所
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斎藤 峯雄
(株)NEC情報システムズ
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岡本 穏治
NEC基礎研
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斎藤 峯雄
NEC技術情報
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斎藤 峯雄
日電技術情報
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押山 淳
日電基礎研
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宮本 良之
Nec基礎研
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大西 楢平
Nec基礎・環境研
著作論文
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- 30pXD-2 C_フラーレンの凝集相 : 超伝導発現の可能性
- 30pXD-1 最小フラーレンC_の理論的同定
- 25aWB-11 清浄ダイアモンド(111)表面の安定性
- 6p-S-3 陽電子消滅2次元角相関法による半導体中の原子空孔の研究(理論)
- 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
- Si中N置換型不純物の原子及び電子構造
- 2p-M-3 陽電子消滅確率の理論的解析-電子・陽電子カーパリネロ法による計算
- 化合物半導体のDXセンターと双安定性
- 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
- 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
- 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
- 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
- 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
- 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
- 25aL-8 炭素クラスターに対する光電子分光振動微細構造の第一原理計算