篠原 正典 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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篠原 正典
長崎大学
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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藤山 寛
長崎大学大学院生産科学研究科
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松田 良信
長崎大学工学部電気電子工学科
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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松田 良信
長崎大学工学部
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藤山 寛
長崎大学工学部電気電子工学科
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
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篠原 正典
長崎大学工学部電気電子工学科
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瀬山 顕雄
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
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中谷 達行
トーヨーエイテック株式会社
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川副 大樹
長崎大学大学院生産科学研究科
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稲吉 孝紀
長崎大学大学院生産科学研究科
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河上 貴聡
長崎大学大学院生産科学研究科
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原 幸治郎
長崎大学大学院生産科学研究科
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新田 祐樹
トーヨーエイテック株式会社
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新田 祐樹
(株)トーヨーエイテック
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中谷 達行
(株)トーヨーエイテック
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赤間 洋助
東北大学電気通信研究所
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美馬 宏司
大阪市立大学
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山下 学
日立製作所 デバイス開発センター
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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大島 義文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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草野 英二
金沢工業大学
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技術研究所
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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田中 虔一
埼玉工業大学大学院工学研究科
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水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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丸本 洋
長崎大学工学部大学院生産科学研究科
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麻蒔 立男
東京理科大学・工学部
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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永井 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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三木 一司
物材機構
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荒木 康弘
静大電子研
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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山本 節夫
山口大学工学部
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栗巣 普揮
山口大学工学部
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松浦 満
山口大学工学部
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三木 一司
電総研
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久松 広美
高エネルギー加速器研究機構
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金澤 健一
高エネルギー加速器研究機構
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末次 祐介
高エネルギー加速器研究機構
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嶋本 真幸
高エネルギー加速器研究機構
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白井 満
高エネルギー加速器研究機構
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西脇 みちる
総合研究大学院大学数物科学研究科
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佐藤 政行
高エネルギー加速器研究機構
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山本 顕弘
総合研究大学院大学数物科学研究科
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竹内 孝江
奈良女子大学
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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魯 大凌
東京工業大学資源化学研究所, CREST
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山崎 聡
JRCAT-融合研
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戸坂 亜希
学習院大学理学部
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五十嵐 慎一
学習院大学理学部
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平山 孝人
学習院大学理学部
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井口 大介
学習院大学理学部
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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麻蒔 立男
東京理科大学工学部・電気工学科
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菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
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福島 和宏
金沢工業大学 AMS R&D C
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池田 佳広
金沢工業大学AMS R & D C
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彩木 傑
金沢工業大学AMS R & D C
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佐野 睦
日本原子力研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中川 行人
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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関川 健太郎
埼玉大学
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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南戸 秀仁
金沢工業大学
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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浅野 清光
秋田高専
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岩田 忠
長崎大学
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閑 亮史
長崎大学
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小峰 一輝
長崎大学
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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小林 信一
埼玉大学
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安達 俊
学習院大学理学部
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見附 孝一郎
分子科学研究所
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関 孝男
学習院大学理学部
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阿部 彰雄
学習院大学理学部
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栗山 大人
学習院大学理学部
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日置 亜也子
大阪府立産業技術総合研究所
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広瀬 文彦
山形大:jst
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斎藤 峯雄
株式会社nec情報システムズ
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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潮田 資勝
北陸先端科学技術大学院大学
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水野 茂
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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北原 武
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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田中 英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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脇本 裕之
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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佐々木 雅夫
アネルバ株式会社
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高柳 邦夫
東京工業大学
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橘内 浩之
日立製作所 機械研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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桜井 誠
神戸大学理学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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西澤 正泰
JRCAT-産総研
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三木 一司
ナノテク部門-産総研
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篠原 正典
東北大電通研
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鎌倉 望
東北大電通研
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木村 康男
東北大電通研
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庭野 道夫
東北大電通研
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高橋 明久
東京理科大学工学部電気工学科
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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夏川 一輝
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 和嗣
大阪市立大学工学部
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川原 淳史
大阪市立大学工学部
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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坂本 仁志
三菱重工業株式会社基盤技術研究所
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広瀬 文彦
三菱重工業株式会社基盤技術研究所
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安部 薫
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
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山口 十六夫
静岡大学
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岩田 弘
香川県工技センタ
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中村 茂昭
高松工専
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相 龍太
横浜市立大学総合理学研究科
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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井手 義行
長崎大学大学院生産科学研究科
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倉本 宰弘
長崎大学大学院生産科学研究科
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小島 裕爾
長崎大学大学院生産科学研究科
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藤山 寛
長崎大院生産
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井上 弘之
長崎大院生産
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黒木 大輔
長崎大院生産
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古江 陽光
長崎大院生産
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松田 良信
長崎大院生産
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篠原 正典
長崎大院生産
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片桐 輝昭
長崎大学工学部電気電子工学科
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岩辻 圭太郎
長崎大学工学部電気電子工学科
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馬場 健次
長崎大学工学部大学院生産科学研究科
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山本 恭一
凸版印刷株式会社総合研究所
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宇山 春夫
凸版印刷株式会社総合研究所
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小山 悠
長崎大学工学部大学院生産科学研究科
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岩谷 勝
長崎大学工学部電気電子工学科
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渡辺 隼人
東北大学電気通信研究所
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成島 哲也
筑波大学物理学科
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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佐藤 英樹
アネルバ株式会社
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木村 康男
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
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渡邉 祐樹
埼玉大学
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丸尾 和幸
アドバンテスト研究所
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金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
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安田 幸夫
名古屋大学
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池内 俊之
筑波大学物理工学系
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遠藤 礼暁
アドバンテスト研究所
-
前田 泰宏
アドバンテスト研究所
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中村 忠
東海大学工学部電子工学科
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大屋 誠志郎
神奈川県産業技術総合研究所
-
品部 慎治
(株)安川電機
-
山本 恵彦
筑波大学物理工学系
-
濱田 晃一
山口大学工学部
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川田 正国
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
柳沢 保徳
奈良教育大学
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森川 良樹
明電舎材料デバイス研究部
-
西口 哲也
明電舎材料デバイス研究部
-
宮本 正春
明電舎材料デバイス研究部
-
野中 秀彦
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
村上 寛
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
佐藤 誠
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
-
田口 信一郎
アネルバ株式会社
-
長谷川 秀雄
防衛大学校電気工学科
-
妻木 伸夫
日立製作所, 機械研究所
-
松谷 貴臣
大阪工業技術研究所
-
継枝 孝行
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
-
河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
-
河村 裕一
大阪府立大先端研
-
山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
著作論文
- アセチレンプラズマを用いたアモルファス炭素膜の成膜過程の赤外分光解析
- 誘導結合プラズマ支援スパッタによるアルミ添加酸化亜鉛薄膜の作成
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- SiGe表面の水素吸着・脱離過程
- Si(100)表面上のベンゼン分子吸着過程
- アモルファス炭素膜のプラズマ気相化学堆積過程の観察
- 原料によるアモルファス炭素膜の堆積過程のちがい
- アセチレンプラズマを用いたアモルファス炭素膜の堆積過程の基板バイアス依存性
- アモルファス炭素膜の成膜機構
- プラズマ成膜プロセスにおけるサブサーフェスでの反応過程解析
- マイクロホローカソード光源を用いた真空紫外吸収分光法の開発
- 多重外部反射赤外分光法の開発
- 細管内壁コーティングのためのヘリコン波プラズマ源の開発
- 23pB07 2nd Harmonic ECRによる低気圧マイクロプラズマの特性(プラズマ基礎II, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
- 酸素プラズマ中でのSi表面水素の拳動
- 走査プラズマ法を用いた高分子フィルム上へのZnO薄膜の低温形成
- MgO薄膜高速成膜のための誘導結合プラズマ支援反応性スパッタリング法の開発
- 基板表面磁界がスパッタ薄膜結晶配向性に及ぼす影響
- 半導体表面・界面反応の赤外分光観察
- 18aTF-6 SiH_2Cl_2分子の吸着・熱分解過程における表面水素の挙動
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- C-11-7 多重内部反射型赤外分光法を用いたSiウェーハ上の汚染位置検出
- SiGe表面へのSiH_4の吸着過程
- Si(100)へのSiH_4分子吸着過程
- 23pWA-8 SiH_4及びSi_2H_6分子SiGe表面吸着過程
- シリコン表面の初期酸化過程の赤外分光解析
- 25pW-3 Si(100)表面上のシラン及びジシラン分子の吸着状態
- 25pW-1 水素終端Si(100)2×1表面上のGe原子の挙動
- 24pW-9 Si(100)表面上のジシラン(Si_2H_6)吸着過程
- SiH_x(CH_3)_分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
- SiH_x(CH_3)_分子のSi表面吸着過程の赤外反射分光解析
- サマリー・アブストラクト
- SiGe表面の水素吸着・脱離過程
- プラズマが誘起する表面反応の赤外分光解析
- プラズマプロセスの赤外分光診断
- 多重内部反射赤外吸収分光法を用いたプラズマが誘起する表面反応の解析 : 気相プラズマから液中プラズマ (特集 革新的プラズマ科学の新潮流)