大坂 次郎 | Nttフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
NTT LSI研究所
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井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
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大坂 次郎
Ntt Lsi 研究所
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
東理大
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本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
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井上 直久
Ntt Lsi研
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井上 直久
大阪府大先端研
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本間 芳和
東京理科大学
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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棚橋 克人
大阪府立大学先端科学研究所
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東野 徒士之
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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井上 直久
大阪府立大学 先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大学先端科学研究所
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河村 裕一
大阪府立大先端研
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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横山 春喜
NTT LSI研究所
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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河村 裕一
大阪府立大学附属先端科学研究所
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井上 直久
大阪府立大学附属先端科学研究所
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所先端デバイス研究部
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菊池 通真
大阪府立大学先端科学研究所
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本間 芳和
境界領域研究所
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大坂 次郎
電電公社 武蔵野研究所
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井上 直久
電電公社 武蔵野研究所
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美馬 宏司
大阪市立大学
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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篠原 正典
NTT LSI研究所
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谷本 正文
NTT LSI研究所
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山下 学
日立製作所 デバイス開発センター
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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大島 義文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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活田 健治
NTT LSI研究所
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杉浦 英雄
NTT光エレクトロニクス研究所
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草野 英二
金沢工業大学
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井口 征夫
川崎製鉄(株)技術研究所
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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田中 虔一
埼玉工業大学大学院工学研究科
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水谷 五郎
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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木村 康男
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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麻蒔 立男
東京理科大学・工学部
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永井 稔
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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富取 正彦
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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荒木 康弘
静大電子研
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北島 正弘
金属材料技術研究所
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篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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山本 節夫
山口大学工学部
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栗巣 普揮
山口大学工学部
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松浦 満
山口大学工学部
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久松 広美
高エネルギー加速器研究機構
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金澤 健一
高エネルギー加速器研究機構
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末次 祐介
高エネルギー加速器研究機構
-
嶋本 真幸
高エネルギー加速器研究機構
-
白井 満
高エネルギー加速器研究機構
-
西脇 みちる
総合研究大学院大学数物科学研究科
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佐藤 政行
高エネルギー加速器研究機構
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山本 顕弘
総合研究大学院大学数物科学研究科
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竹内 孝江
奈良女子大学
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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魯 大凌
東京工業大学資源化学研究所, CREST
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戸坂 亜希
学習院大学理学部
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五十嵐 慎一
学習院大学理学部
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平山 孝人
学習院大学理学部
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井口 大介
学習院大学理学部
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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麻蒔 立男
東京理科大学工学部・電気工学科
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菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
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福島 和宏
金沢工業大学 AMS R&D C
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池田 佳広
金沢工業大学AMS R & D C
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彩木 傑
金沢工業大学AMS R & D C
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佐野 睦
日本原子力研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
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佐藤 弘子
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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中川 行人
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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関川 健太郎
埼玉大学
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高橋 善和
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
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南戸 秀仁
金沢工業大学
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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浅野 清光
秋田高専
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小川 倉一
大阪府立産業技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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安達 俊
学習院大学理学部
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見附 孝一郎
分子科学研究所
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関 孝男
学習院大学理学部
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阿部 彰雄
学習院大学理学部
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栗山 大人
学習院大学理学部
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日置 亜也子
大阪府立産業技術総合研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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大坂 次郎
NTT物性科学基礎研究所
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潮田 資勝
北陸先端科学技術大学院大学
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水野 茂
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
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北原 武
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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田中 英樹
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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脇本 裕之
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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佐々木 雅夫
アネルバ株式会社
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高柳 邦夫
東京工業大学
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橘内 浩之
日立製作所 機械研究所
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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桜井 誠
神戸大学理学部
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吉岡 捷爾
香川大学
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本間 芳和
NTT境界領域研究所
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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高橋 明久
東京理科大学工学部電気工学科
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塩川 善郎
アトムテクノロジー研究体
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夏川 一輝
大阪府立産業技術総合研究所
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村上 和嗣
大阪市立大学工学部
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川原 淳史
大阪市立大学工学部
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庄子 大生
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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安部 薫
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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斎藤 順雄
高松工専
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仲秋 勇
静岡県富士工業技術センタ
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山口 十六夫
静岡大学
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岩田 弘
香川県工技センタ
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中村 茂昭
高松工専
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相 龍太
横浜市立大学総合理学研究科
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矢城 陽一朗
岡山理科大学総合情報学部
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内藤 賀公
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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成島 哲也
筑波大学物理学科
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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佐藤 英樹
アネルバ株式会社
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安田 幸夫
名古屋大学大学院工学研究科
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
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渡邉 祐樹
埼玉大学
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金持 徹
広島国際学院大学工学部電子工学科
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安田 幸夫
名古屋大学
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池内 俊之
筑波大学物理工学系
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中村 忠
東海大学工学部電子工学科
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大屋 誠志郎
神奈川県産業技術総合研究所
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品部 慎治
(株)安川電機
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大坂 次郎
NTTLSI研
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大坂 次郎
NTT・LSI研
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井上 直久
NTT・LSI研
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和田 一実
電電公社 武蔵野研究所
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井上 直久
電々公社武蔵野研究所
-
大坂 次郎
電々公社武蔵野研究所
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赤井 康亮
国際電気(株)
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伊藤 敏洋
NTTフォトニクス研究所
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山本 恵彦
筑波大学物理工学系
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濱田 晃一
山口大学工学部
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谷本 正文
Ntt基礎技術総合研究所
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川田 正国
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
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柳沢 保徳
奈良教育大学
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森川 良樹
明電舎材料デバイス研究部
-
西口 哲也
明電舎材料デバイス研究部
-
宮本 正春
明電舎材料デバイス研究部
-
野中 秀彦
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
村上 寛
工業技術院電子技術総合研究所極限技術部
-
佐藤 誠
アネルバ株式会社装置事業部第一製品技術グループ
-
田口 信一郎
アネルバ株式会社
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長谷川 秀雄
防衛大学校電気工学科
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妻木 伸夫
日立製作所, 機械研究所
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松谷 貴臣
大阪工業技術研究所
-
継枝 孝行
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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明吉 智幸
NTTフォトニクス研究所
-
金原 あきら
金沢工業大学AMSRC
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金 龍成
金属材料技術研究所
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平山 博之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
近藤 剛弘
筑波大学物理工学系, 筑波先端学際領域研究(TARA)センター
-
柳生 進二郎
筑波大学物理工学系
-
平岡 知己
筑波大学物理工学系
-
八木原 美奈
東京理科大学工学部電気工学科
-
荒川 知洋
東海大学工学部電子工学科
-
竹澤 英朗
東海大学工学部電子工学科
-
沢平 嘉浩
金沢工業大学ams R&d Dc
-
池田 浩也
名古屋大学
-
大谷 寿幸
東洋紡績(株)総合研究所
-
伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
佐々木 仁志
京都大学大学院工学研究科
-
稲生 親紀
静大電子研
-
長濱 博之
東洋紡績(株)総合研究所
-
西浦 正倫
広島国際学院大学ハイテクリサーチセンター
-
森居 隆史
松下技研(株)
-
松井 慎
金沢工業大学 Ams R&d C
-
鈴木 慎一
日立製作所 デバイス開発センタ
-
増岡 俊夫
大阪市立大学原子力基礎研究所
-
井口 征夫
川崎製鉄(株)技研
-
川田 洋揮
日立製作所 機械研究所
-
垣谷 公徳
岡山理科大学
-
斉藤 隆義
金沢工業大学ams R & D C
-
吉武 道子
金属材料技術研究所
-
斉藤 芳男
高エネルギー加速器研究機構
著作論文
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- 30a-PS-27 GaAsのMBE成長における二次元核形成・成長サイクルのSEMその場観察
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- MBE-GaAs成長過程のSREMその場観察による解析と制御 : 招待講演II
- 30p-J-4 CZシリコン中の酸素ドナー形成モデル
- 引上げ法シリコン中の酸素の析出機構
- 真空FZ法によるシリコン単結晶の育成 : 融液成長
- 7p-N-2 CZシリコン単結晶の低温赤外吸収
- 共鳴トンネルダイオード/HEMT集積回路技術
- サマリー・アブストラクト