井上 直久 | NTT LSI研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井上 直久
NTT LSI研究所
-
井上 直久
大阪府大
-
井上 直久
Ntt Lsi研
-
大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
-
大坂 次郎
Ntt Lsi 研究所
-
横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
横山 春喜
NTT LSI研究所
-
篠原 正典
Nttマルチメディア事業部
-
篠原 正典
NTT LSI研究所
-
井上 直久
Nttlsi研
-
藤原 正典
NTT LSI研究所
-
和田 一実
マサチューセッツ工科大
-
本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
本間 芳和
東理大
-
本間 芳和
Ntt 物性科学基礎研
-
井上 直久
大阪府立大学先端科学研究所
-
本間 芳和
境界領域研究所
-
大坂 次郎
電電公社 武蔵野研究所
-
井上 直久
電電公社 武蔵野研究所
-
谷本 正文
NTT LSI研究所
-
香田 拡樹
NTT LSI研究所
-
活田 健治
NTT LSI研究所
-
杉浦 英雄
NTT光エレクトロニクス研究所
-
井上 直久
大阪府大先端研
-
大坂 次郎
NTT・LSI研
-
井上 直久
NTT・LSI研
-
和田 一実
電電公社 武蔵野研究所
-
井上 直久
電々公社武蔵野研究所
-
大坂 次郎
電々公社武蔵野研究所
-
赤井 康亮
国際電気(株)
-
井上 直久
電々公社・武蔵野通研
-
大阪 次郎
電々公社・武蔵野通研
-
篠山 誠二
電々公社・武蔵野通研
-
香田 拡樹
電々公社・武蔵野通研
-
谷本 正文
Ntt基礎技術総合研究所
-
蟹沢 聖
NTT LSI研究所
-
大坂 二郎
NTT LSI研究所
-
広野 滋
NTT LSI研究所
-
大阪 次郎
Ntt Lsi研
-
大坂 次郎
NTT LSI研究所
-
廣野 滋
NTT LSI研究所
著作論文
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- 半導体超薄膜と量子井戸 (薄膜技術の現状と展開--これからの薄膜) -- (新しい電気・電子,磁気特性の発現を探る)
- MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
- 13p-Y-1 MBE成長機構のSEMその場観察による検討
- 27pC14 GaAsのMBE成長の高分解能SEMその場観察(気相成長IV)
- GaAs MBE 成長におけるGa液滴の挙動と成長制御
- MBE-GaAs成長過程のSREMその場観察による解析と制御 : 招待講演II
- 30p-J-4 CZシリコン中の酸素ドナー形成モデル
- 引上げ法シリコン中の酸素の析出機構
- 真空FZ法によるシリコン単結晶の育成 : 融液成長
- 7p-N-2 CZシリコン単結晶の低温赤外吸収
- CZシリコン中の酸素の挙動 : 融液成長と蒸着膜
- 電子顕微鏡その場観察とSTMによるMBE成長表面の評価
- 27p-R-9 走査電子顕微鏡によるMBE GaAs表面被覆率のその場測定
- 半導体結晶の融液成長
- 半導体超薄膜と量子井戸
- タイトル無し